L6392DTR
IC
SO-14
可供量大可议
L6392DTR
栅极驱动器
品牌
ST
封装
SO-14
库存
2
货期
现货
L6392DTR参数
| 封装 | SO-14 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 290mA |
| 上升时间(tr) | 75ns |
| 传播延迟 tpLH | 125ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.1V |
| 功能特性 | 使能关断； 内置自举二极管； 交错导通保护； 死区时间控制； 充电泵升压 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT； MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 430mA |
| 工作电压 | 12.5V~20V |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 传播延迟 tpHL | 125ns |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.25V |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
L6392DTR概述
栅极驱动器
L6392DTR特性
暂无产品特性。
L6392DTR应用领域
暂无应用领域。