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L6387ED
自营可供
IC

SOIC-8

L6387ED

栅极驱动IC L6387ED SOIC-8

品牌

ST

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

24+

L6387ED参数

封装SOIC-8
品牌ST(意法半导体)
批次24+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)400mA
上升时间(tr)50ns
传播延迟 tpLH110ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)250uA
分类栅极驱动芯片
库存100
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT; MOSFET
灌电流(IOL)650mA
工作电压15V~17V
下降时间(tf)30ns
传播延迟 tpHL105ns
工作温度-45℃~+125℃
功能特性内置自举二极管; 交错导通保护; 充电泵升压

L6387ED概述

栅极驱动IC L6387ED SOIC-8

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