L6387ED013TR
自营可供
IC
SO-8
L6387ED013TR
栅极驱动IC L6387ED013TR
品牌
ST
封装
SO-8
交期
现货
批次
23+
L6387ED013TR参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 23+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 400mA |
| 上升时间(tr) | 50ns |
| 传播延迟 tpLH | 110ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 静态电流(Iq) | 250uA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT； MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 650mA |
| 工作电压 | 15V~17V |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 传播延迟 tpHL | 105ns |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
| 功能特性 | 内置自举二极管； 交错导通保护； 充电泵升压 |
L6387ED013TR概述
栅极驱动IC L6387ED013TR