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L6386ED
IC

SO-14

可供量大可议

L6386ED

栅极驱动IC L6386ED SO-14

品牌

ST

封装

SO-14

库存

998

货期

现货

L6386ED参数

封装SO-14
品牌ST(意法半导体)
批次24+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)400mA
上升时间(tr)50ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)250uA
分类栅极驱动芯片
库存998
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET; IGBT
灌电流(IOL)650mA
工作电压17V
下降时间(tf)30ns
工作温度-45℃~+125℃
功能特性使能关断; 内置自举二极管; 充电泵升压

L6386ED概述

栅极驱动IC L6386ED SO-14

L6386ED特性

暂无产品特性。

L6386ED应用领域

暂无应用领域。

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