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L2SK3018WT1G
IC

SC-70

可供量大可议

L2SK3018WT1G

场效应管(MOSFET) 200mW 30V 100mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SC-70

库存

10,582

货期

现货

L2SK3018WT1G参数

封装SC-70
品牌LRC(乐山无线电)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))13Ω@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
反向传输电容(Crss)4pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存10,582
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)200mW
输入电容(Ciss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)9pF

L2SK3018WT1G概述

场效应管(MOSFET) 200mW 30V 100mA 1个N沟道

L2SK3018WT1G特性

暂无产品特性。

L2SK3018WT1G应用领域

暂无应用领域。

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