L2SA812RLT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
L2SA812RLT1G
特性：高电压：VCEO =-50V。 外延平面型。 NPN 互补：L2SC1623。 产品材料符合 RoHS 要求。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合 AEC-Q101 标准， 具备 PPAP 能力
品牌
LRC
封装
SOT-23
库存
4,200
货期
现货
L2SA812RLT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 4200 |
L2SA812RLT1G概述
特性：高电压：VCEO =-50V。 外延平面型。 NPN 互补：L2SC1623。 产品材料符合 RoHS 要求。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合 AEC-Q101 标准， 具备 PPAP 能力
L2SA812RLT1G特性
暂无产品特性。
L2SA812RLT1G应用领域
暂无应用领域。