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L2N7002WT1G
IC

SOT– 323 (SC-70)

可供量大可议

L2N7002WT1G

场效应管(MOSFET) 225mW 60V 115mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SOT– 323 (SC-70)

库存

18,083

货期

现货

L2N7002WT1G参数

封装SOT– 323 (SC-70)
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存18,083
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)25pF

L2N7002WT1G概述

场效应管(MOSFET) 225mW 60V 115mA 1个N沟道

L2N7002WT1G特性

暂无产品特性。

L2N7002WT1G应用领域

暂无应用领域。

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