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L2N7002SLT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

L2N7002SLT1G

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SOT-23

库存

76,639

货期

现货

L2N7002SLT1G参数

封装SOT-23
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.2Ω@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)35pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存76,639
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)300mW
栅极电荷量(Qg)440pC@4.5V
反向传输电容(Crss)5pF
输出电容(Coss)10pF

L2N7002SLT1G概述

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道

L2N7002SLT1G特性

暂无产品特性。

L2N7002SLT1G应用领域

暂无应用领域。

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