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L2N7002KWT1G
IC

SC-70

可供量大可议

L2N7002KWT1G

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SC-70

库存

12,438

货期

现货

L2N7002KWT1G参数

封装SC-70
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.7Ω@5V
阈值电压(Vgs(th))1V
反向传输电容(Crss)2.2pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存12,438
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)300mW
输入电容(Ciss)34pF
工作温度-55℃~+150℃

L2N7002KWT1G概述

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道

L2N7002KWT1G特性

暂无产品特性。

L2N7002KWT1G应用领域

暂无应用领域。

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