L2N7002DW1T1G-MS
IC
SOT-363
可供量大可议
L2N7002DW1T1G-MS
MOS管 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.8Ω@10V, 300mA
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-363
库存
2,370
货期
现货
L2N7002DW1T1G-MS参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2370 |
L2N7002DW1T1G-MS概述
MOS管 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.8Ω@10V, 300mA
L2N7002DW1T1G-MS特性
暂无产品特性。
L2N7002DW1T1G-MS应用领域
暂无应用领域。