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L2N7002DW1T1G
IC

SC-88

可供量大可议

L2N7002DW1T1G

场效应管(MOSFET) 380mW 60V 115mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SC-88

库存

60,444

货期

现货

L2N7002DW1T1G参数

封装SC-88
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量2个N沟道
耗散功率(Pd)380mW
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)25pF
分类场效应管(MOSFET)
库存60,444
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
阈值电压(Vgs(th))2V
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道

L2N7002DW1T1G概述

场效应管(MOSFET) 380mW 60V 115mA 1个N沟道

L2N7002DW1T1G特性

暂无产品特性。

L2N7002DW1T1G应用领域

暂无应用领域。

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