KY2004KNC
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
KY2004KNC
特性：RDS(ON) ≤ 0.75Ω (典型值0.65Ω) @VGS = -2.5V。 RDS(ON) ≤ 1.0Ω (典型值0.85Ω) @VGS = -2.5V。 应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
品牌
KY
封装
DFN1006-3L
库存
6,620
货期
现货
KY2004KNC参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | KY(韩景元) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6620 |
KY2004KNC概述
特性：RDS(ON) ≤ 0.75Ω (典型值0.65Ω) @VGS = -2.5V。 RDS(ON) ≤ 1.0Ω (典型值0.85Ω) @VGS = -2.5V。 应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
KY2004KNC特性
暂无产品特性。
KY2004KNC应用领域
暂无应用领域。