KY2002KNC
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
KY2002KNC
特性：RDS(ON) ≤ 0.38Ω (典型值0.25Ω) @VGS = 4.5V。 RDS(ON) ≤ 0.45Ω (典型值0.35Ω) @VGS = 2.5V。 RDS(ON) ≤ 0.8Ω (典型值0.4Ω) @VGS = 1.8V。 应用：负载/电源开关。 接口开关
品牌
KY
封装
DFN1006-3L
库存
3,520
货期
现货
KY2002KNC参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | KY(韩景元) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3520 |
KY2002KNC概述
特性：RDS(ON) ≤ 0.38Ω (典型值0.25Ω) @VGS = 4.5V。 RDS(ON) ≤ 0.45Ω (典型值0.35Ω) @VGS = 2.5V。 RDS(ON) ≤ 0.8Ω (典型值0.4Ω) @VGS = 1.8V。 应用：负载/电源开关。 接口开关
KY2002KNC特性
暂无产品特性。
KY2002KNC应用领域
暂无应用领域。