KTD1302-AT/P
IC
TO-92-3
可供量大可议
KTD1302-AT/P
特性：高发射极-基极电压：VEBO = 12V(Min. )。 高反向hFE-反向hFE = 20(Min. )， VCE = 2V， IC = 4mA。 低导通电阻：RON = 0.6Ω (Typ. ) (IB = 1mA)
品牌
KEC
封装
TO-92-3
库存
580
货期
现货
KTD1302-AT/P参数
| 封装 | TO-92-3 |
|---|---|
| 品牌 | KEC |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 580 |
KTD1302-AT/P概述
特性：高发射极-基极电压：VEBO = 12V(Min. )。 高反向hFE-反向hFE = 20(Min. )， VCE = 2V， IC = 4mA。 低导通电阻：RON = 0.6Ω (Typ. ) (IB = 1mA)
KTD1302-AT/P特性
暂无产品特性。
KTD1302-AT/P应用领域
暂无应用领域。