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KTC8550S-D-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

KTC8550S-D-HXY

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达60V, 确保在高电压环境下的稳定性。 其连续集电极电流IC为1A, 适合处理中等功率需求。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 提供稳定的信号放大性能。 特征频率FT高达150MHz, 使得它在需要高速开关的应用中表现出色。 该三极管适用于构建精密放大器与电源管理电路, 满足对性能和可靠性有较高要求的场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

40

货期

现货

KTC8550S-D-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存40

KTC8550S-D-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达60V, 确保在高电压环境下的稳定性。 其连续集电极电流IC为1A, 适合处理中等功率需求。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 提供稳定的信号放大性能。 特征频率FT高达150MHz, 使得它在需要高速开关的应用中表现出色。 该三极管适用于构建精密放大器与电源管理电路, 满足对性能和可靠性有较高要求的场合。

KTC8550S-D-HXY特性

暂无产品特性。

KTC8550S-D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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