KTC8550S-D-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
KTC8550S-D-HXY
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达60V, 确保在高电压环境下的稳定性。 其连续集电极电流IC为1A, 适合处理中等功率需求。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 提供稳定的信号放大性能。 特征频率FT高达150MHz, 使得它在需要高速开关的应用中表现出色。 该三极管适用于构建精密放大器与电源管理电路, 满足对性能和可靠性有较高要求的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
KTC8550S-D-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
KTC8550S-D-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 集电极-发射极电压VCEO可达60V, 确保在高电压环境下的稳定性。 其连续集电极电流IC为1A, 适合处理中等功率需求。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 提供稳定的信号放大性能。 特征频率FT高达150MHz, 使得它在需要高速开关的应用中表现出色。 该三极管适用于构建精密放大器与电源管理电路, 满足对性能和可靠性有较高要求的场合。
KTC8550S-D-HXY特性
暂无产品特性。
KTC8550S-D-HXY应用领域
暂无应用领域。
