KSI2324DS-T1-GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
KSI2324DS-T1-GE3
采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。 标准产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规范）。
品牌
KUU
封装
SOT-23
库存
2,210
货期
现货
KSI2324DS-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | KUU |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2210 |
KSI2324DS-T1-GE3概述
采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。 标准产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规范）。
KSI2324DS-T1-GE3特性
暂无产品特性。
KSI2324DS-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。