KSD882YSTU-HXY
IC
TO-126
可供量大可议
KSD882YSTU-HXY
该NPN型三极管额定集电极电流(IC)为3A, 集电极-发射极击穿电压(VCEO)达30V, 具备较高的电压承受能力, 适用于中等功率放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)在200至300之间, 表现出稳定的电流放大特性。 器件可用于电源控制、电机驱动、信号切换及模拟放大电路, 适合在消费类电子产品、家用设备、通信装置及便携式电子系统中作为核心开关或放大元件, 满足对性能与可靠性要求较高的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-126
库存
23
货期
现货
KSD882YSTU-HXY参数
| 封装 | TO-126 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
KSD882YSTU-HXY概述
该NPN型三极管额定集电极电流(IC)为3A, 集电极-发射极击穿电压(VCEO)达30V, 具备较高的电压承受能力, 适用于中等功率放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)在200至300之间, 表现出稳定的电流放大特性。 器件可用于电源控制、电机驱动、信号切换及模拟放大电路, 适合在消费类电子产品、家用设备、通信装置及便携式电子系统中作为核心开关或放大元件, 满足对性能与可靠性要求较高的应用场景。
KSD882YSTU-HXY特性
暂无产品特性。
KSD882YSTU-HXY应用领域
暂无应用领域。
