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KSD882YSTU-HXY
IC

TO-126

可供量大可议

KSD882YSTU-HXY

该NPN型三极管额定集电极电流(IC)为3A, 集电极-发射极击穿电压(VCEO)达30V, 具备较高的电压承受能力, 适用于中等功率放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)在200至300之间, 表现出稳定的电流放大特性。 器件可用于电源控制、电机驱动、信号切换及模拟放大电路, 适合在消费类电子产品、家用设备、通信装置及便携式电子系统中作为核心开关或放大元件, 满足对性能与可靠性要求较高的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-126

库存

23

货期

现货

KSD882YSTU-HXY参数

封装TO-126
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存23

KSD882YSTU-HXY概述

该NPN型三极管额定集电极电流(IC)为3A, 集电极-发射极击穿电压(VCEO)达30V, 具备较高的电压承受能力, 适用于中等功率放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)在200至300之间, 表现出稳定的电流放大特性。 器件可用于电源控制、电机驱动、信号切换及模拟放大电路, 适合在消费类电子产品、家用设备、通信装置及便携式电子系统中作为核心开关或放大元件, 满足对性能与可靠性要求较高的应用场景。

KSD882YSTU-HXY特性

暂无产品特性。

KSD882YSTU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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