KSB772YS-HXY
IC
TO-126
可供量大可议
KSB772YS-HXY
该PNP型三极管具有3A的集电极电流(IC)和30V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的开关与放大电路。 其直流电流增益(HFE)范围为200至300, 具备良好的电流控制能力与工作稳定性。 器件常用于电源反向控制、信号切换、推挽输出级及模拟放大应用, 适合在消费类电子设备、音频电路、便携式装置及嵌入式控制模块中作为关键晶体管元件, 满足对可靠性和性能要求较高的电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-126
库存
445
货期
现货
KSB772YS-HXY参数
| 封装 | TO-126 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 445 |
KSB772YS-HXY概述
该PNP型三极管具有3A的集电极电流(IC)和30V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的开关与放大电路。 其直流电流增益(HFE)范围为200至300, 具备良好的电流控制能力与工作稳定性。 器件常用于电源反向控制、信号切换、推挽输出级及模拟放大应用, 适合在消费类电子设备、音频电路、便携式装置及嵌入式控制模块中作为关键晶体管元件, 满足对可靠性和性能要求较高的电路设计需求。
KSB772YS-HXY特性
暂无产品特性。
KSB772YS-HXY应用领域
暂无应用领域。
