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KSB772YS-HXY
IC

TO-126

可供量大可议

KSB772YS-HXY

该PNP型三极管具有3A的集电极电流(IC)和30V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的开关与放大电路。 其直流电流增益(HFE)范围为200至300, 具备良好的电流控制能力与工作稳定性。 器件常用于电源反向控制、信号切换、推挽输出级及模拟放大应用, 适合在消费类电子设备、音频电路、便携式装置及嵌入式控制模块中作为关键晶体管元件, 满足对可靠性和性能要求较高的电路设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-126

库存

445

货期

现货

KSB772YS-HXY参数

封装TO-126
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存445

KSB772YS-HXY概述

该PNP型三极管具有3A的集电极电流(IC)和30V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的开关与放大电路。 其直流电流增益(HFE)范围为200至300, 具备良好的电流控制能力与工作稳定性。 器件常用于电源反向控制、信号切换、推挽输出级及模拟放大应用, 适合在消费类电子设备、音频电路、便携式装置及嵌入式控制模块中作为关键晶体管元件, 满足对可靠性和性能要求较高的电路设计需求。

KSB772YS-HXY特性

暂无产品特性。

KSB772YS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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