KPY3203D
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
KPY3203D
特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ. ) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 100% EAS保证。 绿色环保器件。 优异的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽工艺
品牌
KIA
封装
DFN-8(5x6)
库存
4,315
货期
现货
KPY3203D参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4315 |
KPY3203D概述
特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ. ) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 100% EAS保证。 绿色环保器件。 优异的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽工艺
KPY3203D特性
暂无产品特性。
KPY3203D应用领域
暂无应用领域。