KPS6110B
IC
SOT-89
可供量大可议
KPS6110B
P沟道MOSFET， 采用先进沟槽MOS技术， 可靠耐用， 有绿色环保版本， 适用于电源管理和直流电机控制
品牌
KIA
封装
SOT-89
库存
1,000
货期
现货
KPS6110B参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
| 商品名称 | P沟道MOSFET， 采用先进沟槽MOS技术， 可靠耐用， 有绿色环保版本， 适用于电源管理和直流电机控制 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | KPS6110B |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 9.5e-05 |
KPS6110B概述
先进沟槽MOS技术 可靠且耐用 提供绿色环保器件
KPS6110B特性
- 当VGS = -10 V时, RDS(ON) = 170 mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5 V时, RDS(ON) = 190 mΩ(典型值)
KPS6110B应用领域
- 电源管理
- 直流电机控制