KPESD236T5VU
IC
SOT-163
可供量大可议
KPESD236T5VU
具有最大 0.4pF 的低电容, 在 1GHz 下几乎无插入损耗。 这使得该器件非常适合保护高速数据线, 如 USB 2.0、Firewire、DVI 和千兆以太网接口。 低电容阵列配置允许用户保护四条高速数据或传输线。 低电感结构可最大程度减少高电流浪涌期间的电压过冲。 可用于满足 IEC61000-4-2 4 级(±15kV 空气放电、±8kV 接触放电)的 ESD 抗扰度要求。 该器件专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件, 使其免受 ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和雷击引起的过电压影响。
品牌
KUU
封装
SOT-163
库存
100
货期
现货
KPESD236T5VU参数
| 封装 | SOT-163 |
|---|---|
| 品牌 | KUU |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
KPESD236T5VU概述
具有最大 0.4pF 的低电容, 在 1GHz 下几乎无插入损耗。 这使得该器件非常适合保护高速数据线, 如 USB 2.0、Firewire、DVI 和千兆以太网接口。 低电容阵列配置允许用户保护四条高速数据或传输线。 低电感结构可最大程度减少高电流浪涌期间的电压过冲。 可用于满足 IEC61000-4-2 4 级(±15kV 空气放电、±8kV 接触放电)的 ESD 抗扰度要求。 该器件专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件, 使其免受 ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和雷击引起的过电压影响。
KPESD236T5VU特性
暂无产品特性。
KPESD236T5VU应用领域
暂无应用领域。
