KNY6610A
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
KNY6610A
特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 应用：PWM应用。 电源管理
品牌
KIA
封装
DFN-8(5x6)
库存
434
货期
现货
KNY6610A参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 434 |
KNY6610A概述
特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 应用：PWM应用。 电源管理
KNY6610A特性
暂无产品特性。
KNY6610A应用领域
暂无应用领域。