KNY3004B
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
KNY3004B
特性：先进的沟槽技术。 导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时， 典型值为2.4mΩ。 超低栅极电荷。 有环保型产品可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试
品牌
KIA
封装
DFN-8(5x6)
库存
165
货期
现货
KNY3004B参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
KNY3004B概述
特性：先进的沟槽技术。 导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时， 典型值为2.4mΩ。 超低栅极电荷。 有环保型产品可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试
KNY3004B特性
暂无产品特性。
KNY3004B应用领域
暂无应用领域。