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KNP2910B
IC

TO-220

可供量大可议

KNP2910B

KNX2910B采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 它可应用于各种领域。

品牌

KIA

封装

TO-220

库存

19

货期

现货

KNP2910B参数

封装TO-220
品牌KIA
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存19

KNP2910B概述

KNX2910B采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 它可应用于各种领域。

KNP2910B特性

暂无产品特性。

KNP2910B应用领域

暂无应用领域。

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