KNP2906C
IC
TO-220
可供量大可议
KNP2906C
特性：先进的沟槽技术。 导通电阻RDS(ON) = 4.6 mΩ（典型值）， VGS = 10 V， TO-220封装。 导通电阻RDS(ON) = 4.7 mΩ（典型值）， VGS = 10 V， TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
品牌
KIA
封装
TO-220
库存
150
货期
现货
KNP2906C参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
KNP2906C概述
特性：先进的沟槽技术。 导通电阻RDS(ON) = 4.6 mΩ（典型值）， VGS = 10 V， TO-220封装。 导通电阻RDS(ON) = 4.7 mΩ（典型值）， VGS = 10 V， TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
KNP2906C特性
暂无产品特性。
KNP2906C应用领域
暂无应用领域。