KNH9130A
IC
TO-3P
可供量大可议
KNH9130A
特性：专有新平面技术。 低导通电阻：在 VGS = 10V 时， RDS(ON) 典型值为 100mΩ。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：DC-DC 转换器。 UPS 的 DC-AC 逆变器
品牌
KIA
封装
TO-3P
库存
6
货期
现货
KNH9130A参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
KNH9130A概述
特性：专有新平面技术。 低导通电阻：在 VGS = 10V 时， RDS(ON) 典型值为 100mΩ。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：DC-DC 转换器。 UPS 的 DC-AC 逆变器
KNH9130A特性
暂无产品特性。
KNH9130A应用领域
暂无应用领域。