KNH7650A
IC
TO-3P
可供量大可议
KNH7650A
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON)（典型值）= 170mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 无刷直流电机驱动器。 电焊机。 高效开关电源
品牌
KIA
封装
TO-3P
库存
90
货期
现货
KNH7650A参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
KNH7650A概述
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON)（典型值）= 170mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 无刷直流电机驱动器。 电焊机。 高效开关电源
KNH7650A特性
暂无产品特性。
KNH7650A应用领域
暂无应用领域。