KNH7150A
IC
TO-3P
可供量大可议
KNH7150A
特性：专有新型平面技术。 RDS(ON)， 典型值 = 0.24Ω@VGS = 10V。 低栅极电荷， 可最小化开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器充电器。 开关电源
品牌
KIA
封装
TO-3P
库存
30
货期
现货
KNH7150A参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
KNH7150A概述
特性：专有新型平面技术。 RDS(ON)， 典型值 = 0.24Ω@VGS = 10V。 低栅极电荷， 可最小化开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器充电器。 开关电源
KNH7150A特性
暂无产品特性。
KNH7150A应用领域
暂无应用领域。