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KNH2908D
IC

TO-3P

可供量大可议

KNH2908D

特性:RDS(ON) = 4.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻, 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路

Brand

KIA

Package

TO-3P

Stock

16

货期

现货

KNH2908DParameters

封装TO-3P
品牌KIA
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存16

KNH2908D概述

特性:RDS(ON) = 4.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻, 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路

KNH2908D特性

暂无产品特性。

KNH2908D应用领域

暂无应用领域。

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