KNH2906C
IC
TO-3P
可供量大可议
KNH2906C
特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=4.6mΩ（典型值）， VGS = 10V， TO-220封装。 RDS(ON)=4.7mΩ（典型值）， VGS = 10V， TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
品牌
KIA
封装
TO-3P
库存
390
货期
现货
KNH2906C参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 390 |
KNH2906C概述
特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=4.6mΩ（典型值）， VGS = 10V， TO-220封装。 RDS(ON)=4.7mΩ（典型值）， VGS = 10V， TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
KNH2906C特性
暂无产品特性。
KNH2906C应用领域
暂无应用领域。