KNG3703A
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
KNG3703A
特性：RDS(on)(典型值) = 7.5mΩ， VGS = 10V。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。 应用：笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡的高频负载点同步降压转换器。 网络直流-直流电源系统
品牌
KIA
封装
DFN-8(3x3)
库存
155
货期
现货
KNG3703A参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 155 |
KNG3703A概述
特性：RDS(on)(典型值) = 7.5mΩ， VGS = 10V。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。 应用：笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡的高频负载点同步降压转换器。 网络直流-直流电源系统
KNG3703A特性
暂无产品特性。
KNG3703A应用领域
暂无应用领域。