KNF6180B
IC
TO-220F
可供量大可议
KNF6180B
KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。 经过改进的工艺和单元结构经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
品牌
KIA
封装
TO-220F
库存
427
货期
现货
KNF6180B参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 427 |
KNF6180B概述
KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。 经过改进的工艺和单元结构经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
KNF6180B特性
暂无产品特性。
KNF6180B应用领域
暂无应用领域。