KNF4N65F
IC
TO-220F
可供量大可议
KNF4N65F
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 2.4Ω（典型值）， VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
品牌
KIA
封装
TO-220F
库存
980
货期
现货
KNF4N65F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 980 |
KNF4N65F概述
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 2.4Ω（典型值）， VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
KNF4N65F特性
暂无产品特性。
KNF4N65F应用领域
暂无应用领域。