KNF10N65B
IC
TO-220F
可供量大可议
KNF10N65B
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 0.75Ω（典型值）， VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
品牌
KIA
封装
TO-220F
库存
95
货期
现货
KNF10N65B参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
KNF10N65B概述
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 0.75Ω（典型值）， VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
KNF10N65B特性
暂无产品特性。
KNF10N65B应用领域
暂无应用领域。