KND7N65B
IC
TO-252
可供量大可议
KND7N65B
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）@VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
1,960
货期
现货
KND7N65B参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1960 |
KND7N65B概述
特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）@VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
KND7N65B特性
暂无产品特性。
KND7N65B应用领域
暂无应用领域。