KND3404B
IC
TO-252
可供量大可议
KND3404B
特性：RDS(ON)典型值 = 5.0mΩ（典型值）， VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg x RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
552
货期
现货
KND3404B参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 552 |
KND3404B概述
特性：RDS(ON)典型值 = 5.0mΩ（典型值）， VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg x RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
KND3404B特性
暂无产品特性。
KND3404B应用领域
暂无应用领域。