KND3080
IC
TO-252
可供量大可议
KND3080
特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ. ) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Device Available。 Excellent CdV/dt effect decline。 100% ΔVds TESTED。 100% UIS TESTED
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
830
货期
现货
KND3080参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 830 |
KND3080概述
特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ. ) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Device Available。 Excellent CdV/dt effect decline。 100% ΔVds TESTED。 100% UIS TESTED
KND3080特性
暂无产品特性。
KND3080应用领域
暂无应用领域。