KND2803T
IC
TO-252
可供量大可议
KND2803T
特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
200
货期
现货
KND2803T参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
KND2803T概述
特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试
KND2803T特性
暂无产品特性。
KND2803T应用领域
暂无应用领域。