KND2803A
IC
TO-252
可供量大可议
KND2803A
特性：RDS(on)=2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最高结温。 无铅， 符合RoHS标准。 采用沟槽工艺技术实现极低导通电阻。 结工作温度为175℃。 开关速度快。 重复雪崩额定值提高
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
415
货期
现货
KND2803A参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 415 |
KND2803A概述
特性：RDS(on)=2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最高结温。 无铅， 符合RoHS标准。 采用沟槽工艺技术实现极低导通电阻。 结工作温度为175℃。 开关速度快。 重复雪崩额定值提高
KND2803A特性
暂无产品特性。
KND2803A应用领域
暂无应用领域。