KNB2915A
IC
TO-263
可供量大可议
KNB2915A
特性：RDS(ON)= 10mΩ(typ. )@ VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准合格。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
品牌
KIA
封装
TO-263
库存
493
货期
现货
KNB2915A参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 493 |
KNB2915A概述
特性：RDS(ON)= 10mΩ(typ. )@ VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准合格。 应用：电机控制和驱动。 电池管理
KNB2915A特性
暂无产品特性。
KNB2915A应用领域
暂无应用领域。