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KNB2912A
IC

TO-263

可供量大可议

KNB2912A

KNX2912A采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷, 可应用于多种场景。

品牌

KIA

封装

TO-263

库存

8

货期

现货

KNB2912A参数

封装TO-263
品牌KIA
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存8

KNB2912A概述

KNX2912A采用先进的沟槽技术, 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷, 可应用于多种场景。

KNB2912A特性

暂无产品特性。

KNB2912A应用领域

暂无应用领域。

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