KNB2908D
IC
TO-263
可供量大可议
KNB2908D
特性：RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻， 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
KIA
封装
TO-263
库存
607
货期
现货
KNB2908D参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 607 |
KNB2908D概述
特性：RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻， 以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
KNB2908D特性
暂无产品特性。
KNB2908D应用领域
暂无应用领域。