KNB2803T
IC
TO-263
可供量大可议
KNB2803T
特性：先进的沟槽技术。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
品牌
KIA
封装
TO-263
库存
850
货期
现货
KNB2803T参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 850 |
KNB2803T概述
特性：先进的沟槽技术。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
KNB2803T特性
暂无产品特性。
KNB2803T应用领域
暂无应用领域。