KNB2803C
IC
TO-263
可供量大可议
KNB2803C
特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=2.0mΩ（典型值）， VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
品牌
KIA
封装
TO-263
库存
80
货期
现货
KNB2803C参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
KNB2803C概述
特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=2.0mΩ（典型值）， VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
KNB2803C特性
暂无产品特性。
KNB2803C应用领域
暂无应用领域。