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KNB2706A
IC

TO-263

可供量大可议

KNB2706A

特性:RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)@VGS = 10 V。 极低导通电阻RDS(ON)。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 应用:PWM应用。 电源管理

品牌

KIA

封装

TO-263

库存

43

货期

现货

KNB2706A参数

封装TO-263
品牌KIA
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存43

KNB2706A概述

特性:RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)@VGS = 10 V。 极低导通电阻RDS(ON)。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 应用:PWM应用。 电源管理

KNB2706A特性

暂无产品特性。

KNB2706A应用领域

暂无应用领域。

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