KMA3D7P20SA-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
KMA3D7P20SA-HXY
这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其最大电流为3A, 承受电压高达20V, 内阻典型值为60mR。 当VGS为12V时, 能够实现最佳性能。 该元器件具有低功耗、高效率和稳定的电流传输能力, 非常适合于电源管理、信号放大以及开关控制等关键部位。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
120
货期
现货
KMA3D7P20SA-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 120 |
KMA3D7P20SA-HXY概述
这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其最大电流为3A, 承受电压高达20V, 内阻典型值为60mR。 当VGS为12V时, 能够实现最佳性能。 该元器件具有低功耗、高效率和稳定的电流传输能力, 非常适合于电源管理、信号放大以及开关控制等关键部位。
KMA3D7P20SA-HXY特性
暂无产品特性。
KMA3D7P20SA-HXY应用领域
暂无应用领域。
