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KMA3D7P20SA-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

KMA3D7P20SA-HXY

这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其最大电流为3A, 承受电压高达20V, 内阻典型值为60mR。 当VGS为12V时, 能够实现最佳性能。 该元器件具有低功耗、高效率和稳定的电流传输能力, 非常适合于电源管理、信号放大以及开关控制等关键部位。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

120

货期

现货

KMA3D7P20SA-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存120

KMA3D7P20SA-HXY概述

这款场效应管采用P型设计, 适用于多种应用场景。 其最大电流为3A, 承受电压高达20V, 内阻典型值为60mR。 当VGS为12V时, 能够实现最佳性能。 该元器件具有低功耗、高效率和稳定的电流传输能力, 非常适合于电源管理、信号放大以及开关控制等关键部位。

KMA3D7P20SA-HXY特性

暂无产品特性。

KMA3D7P20SA-HXY应用领域

暂无应用领域。

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