KIA5N50SD
IC
TO-252
可供量大可议
KIA5N50SD
特性：坚固的高压终端。 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS = 10V时， DFN5*6封装典型值为1.35Ω， TO-252封装典型值为1.38Ω。 规定了雪崩能量。 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。 二极管适用于桥式电路。 规定了高温下的IDSS和VDS(on)
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
2,470
货期
现货
KIA5N50SD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2470 |
KIA5N50SD概述
特性：坚固的高压终端。 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS = 10V时， DFN5*6封装典型值为1.35Ω， TO-252封装典型值为1.38Ω。 规定了雪崩能量。 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。 二极管适用于桥式电路。 规定了高温下的IDSS和VDS(on)
KIA5N50SD特性
暂无产品特性。
KIA5N50SD应用领域
暂无应用领域。