KIA5N50HD
IC
TO-252
可供量大可议
KIA5N50HD
特性：RDS(on)=1.25Ω（典型值）， Vgs=10V。 符合RoHS标准。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 应用：适配器。 充电器
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
57
货期
现货
KIA5N50HD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 57 |
KIA5N50HD概述
特性：RDS(on)=1.25Ω（典型值）， Vgs=10V。 符合RoHS标准。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 应用：适配器。 充电器
KIA5N50HD特性
暂无产品特性。
KIA5N50HD应用领域
暂无应用领域。