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KIA50N06CY
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

KIA50N06CY

是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管, 采用LVMoset技术制造。 改进的工艺和单元结构经过特别设计, 可将导通电阻降至最低, 并提供出色的开关性能。 该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。

品牌

KIA

封装

DFN-8(5x6)

库存

75

货期

现货

KIA50N06CY参数

封装DFN-8(5x6)
品牌KIA
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存75

KIA50N06CY概述

是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管, 采用LVMoset技术制造。 改进的工艺和单元结构经过特别设计, 可将导通电阻降至最低, 并提供出色的开关性能。 该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。

KIA50N06CY特性

暂无产品特性。

KIA50N06CY应用领域

暂无应用领域。

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