KIA50N06CY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
KIA50N06CY
是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管, 采用LVMoset技术制造。 改进的工艺和单元结构经过特别设计, 可将导通电阻降至最低, 并提供出色的开关性能。 该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。
品牌
KIA
封装
DFN-8(5x6)
库存
75
货期
现货
KIA50N06CY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
KIA50N06CY概述
是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管, 采用LVMoset技术制造。 改进的工艺和单元结构经过特别设计, 可将导通电阻降至最低, 并提供出色的开关性能。 该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。
KIA50N06CY特性
暂无产品特性。
KIA50N06CY应用领域
暂无应用领域。
