KIA50N03BD
IC
TO-252
可供量大可议
KIA50N03BD
特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 50A， 30V， RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力
品牌
KIA
封装
TO-252
库存
10,015
货期
现货
KIA50N03BD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | KIA |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10015 |
KIA50N03BD概述
特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 50A， 30V， RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力
KIA50N03BD特性
暂无产品特性。
KIA50N03BD应用领域
暂无应用领域。